الوصف
📑 فهرس المحتويات
🔹 50N06 – ترانزستور MOSFET قدرة N-Channel عالي التيار (50A، 60V)
50N06 هو ترانزستور قدرة من نوع MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) بقناة N-channel، مصمم خصيصًا لتطبيقات التبديل عالية التيار والتيار المستمر.
من خبرتنا التي تزيد عن 12 عامًا في إصلاح لوحات الطاقة ومحركات المحركات في مصر، نؤكد أن هذا الترانزستور هو الحل الأمثل للتطبيقات التي تتطلب تيارًا يصل إلى 50 أمبير وجهدًا يصل إلى 60 فولت.
يتم استيراده مباشرة بواسطة الجوكر للالكترونيات، وهو متوفر الآن في مصر مع توصيل سريع لجميع المحافظات خلال 24-48 ساعة.
يتميز الترانزستور بمقاومة توصيل منخفضة جدًا (RDS(on) = 22mΩ نموذجي عند VGS=10V)، مما يعني خسائر طاقة قليلة وكفاءة عالية في التطبيقات التي تتطلب تيارات كبيرة.
كما يتميز بسرعة تبديل عالية (زمن صعود 100ns نموذجي، زمن هبوط 80ns) وسعة بوابة منخفضة (Qg = 40nC كحد أقصى)، مما يجعله مناسبًا للعمل مع دوائر التحكم الرقمية والمتحكمات الدقيقة مثل TPS54328 ومنظمات الجهد المتقدمة.
سواء كنت تقوم بتصميم مصدر طاقة تبديل (SMPS)، أو محرك محرك كهربائي (motor driver)، أو نظام إنارة LED عالي الطاقة، فإن 50N06 يوفر لك أداءً موثوقًا به وتكلفة اقتصادية.
بالمقارنة مع منظمات الجهد الخطي مثل 3S111 (LM1117) التي تتعامل مع تيارات أقل من 1A، فإن 50N06 يتحمل تيارات تصل إلى 50A، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات القدرة العالية.
يتوفر الترانزستور بعدة عبوات: TO-220 (للتيارات العالية مع مبدد حراري)، TO-220F (معزول)، TO-252 (D-Pak للتركيب السطحي)، و TO-251 (I-Pak للتركيب من خلال الفتحات).



📊 المواصفات الفنية الكاملة – 50N06
60V (حد أدنى)
50A @ Tc=25°C / 35A @ Tc=100°C
200A (نبضي)
18-22 mΩ (عند VGS=10V, ID=50A)
120W (TO-220)، 70W (TO-220F)
-55°C إلى +175°C
مواصفات إضافية
| المعلمة | القيمة | ملاحظات |
|---|---|---|
| 900-1220 pF (VDS=25V) | منخفضة نسبيًا | |
| 430-550 pF | تؤثر على سرعة التبديل | |
| 30-40 nC (VGS=10V, ID=50A) | منخفضة، مناسبة للدوائر ذات التردد العالي | |
| 2V – 4V (ID=250µA) | يتطلب جهد تشغيل 5V-10V للتشغيل الكامل | |
| 100-200 ns (نموذجي) | سريع |
زمن الهبوط (tf)
📍 دليل توزيع الأطراف (Pinout) – 50N06 (علبة TO-220)
الترانزستور له ثلاثة أطراف. الجدول التالي يوضح وظائف كل طرف (عند النظر من الأمام، مع توجيه المعدن للأسفل):
| رقم الطرف | الاسم | الرمز | الوظيفة | 1 (يسار) | البوابة (Gate) | G | يتحكم في تشغيل الترانزستور. جهد موجب (5V-20V) بالنسبة للمنبع يفتح القناة. |
|---|---|---|---|
| المصرف (Drain) | D | يتصل بالجزء المعدني للتبريد. في دوائر الطاقة، يتصل بالحمل أو بمصدر الجهد العالي. | |
| المنبع (Source) | S | عادة ما يتصل بالأرضي (GND) أو بالجهد السالب. في دوائر التحويل، هو مرجع الجهد. |
ملاحظة هامة: الغلاف المعدني للترانزستور (الجزء الخلفي) هو المصرف كهربائيًا. لذا يجب عزله عن المبدد الحراري باستخدام ميكا عازلة وغسالة بلاستيكية إذا كان المبدد الحراري متصلاً بالأرضي.
في علبة TO-220، ترتيب الأطراف هو G، D، S من اليسار إلى اليمين. تأكد دائمًا من الرقم المطبوع على العبوة.
🔧 دوائر تطبيقية نموذجية لـ 50N06
تطبيق رئيسي: مفتاح إلكتروني عالي التيار (High-Side or Low-Side Switch).
في هذا التطبيق، يعمل الترانزستور كمفتاح سريع لتشغيل وإطفاء أحمال عالية التيار مثل مصابيح LED عالية الطاقة، محركات DC، أو سخانات كهربائية.
عند تطبيق جهد 10V على البوابة (Gate) بالنسبة للمنبع (Source)، يدخل الترانزستور في منطقة التشبع (saturation) وتكون مقاومته RDS(on) منخفضة جدًا (22mΩ)، مما يسمح بمرور تيار يصل إلى 50A بأقل خسائر.
يمكن التحكم في الترانزستور مباشرة باستخدام إشارة رقمية من متحكم دقيق (مثل Arduino) عبر مقاومة 100Ω-1kΩ لحماية منفذ المتحكم من التيار العابر.
تطبيق ثانوي: محول جهد تيار مستمر (DC-DC Buck Converter) مع منظم مثل TPS54328.
يمكن استخدام 50N06 كمفتاح خارجي في محولات الجهد العالية التيار، خاصة عندما يكون التيار المطلوب أكبر من 3A (حد TPS54328).
في هذه الحالة، يتم استخدام دارة تحكم منفصلة (مثل PWM من متحكم أو منظم متخصص) لتشغيل وإيقاف الترانزستور بتردد عالٍ (50kHz-200kHz).
تطبيق ثالث: محرك محرك كهربائي (DC Motor Driver) نصف جسر (Half-Bridge) أو جسر كامل (H-Bridge).
يمكن استخدام زوجين من 50N06 (واحد N-Channel للجانب العلوي والسفلي) لبناء محرك محرك DC قادر على توفير تيار يصل إلى 50A للمحرك.
يجب استخدام دوائر قيادة بوابات مناسبة (Gate Driver) مثل IR2110 لتشغيل الترانزستورات في الجانب العلوي (high-side).
نصائح للتركيب:
استخدم معجون حراري (thermal paste) بين الترانزستور والمبدد الحراري لتحسين التوصيل الحراري.
لا تنس استخدام حلقة عازلة (bushing) للمسمار وعازل ميكا إذا كان المبدد الحراري متصلاً بالأرضي.
تأكد من أن مقاومة البوابة (Gate resistor) مناسبة (10Ω-100Ω) للتحكم في سرعة التبديل وتقليل التذبذبات.
أضف ثنائيًا حرًا (flyback diode) بالتوازي مع الأحمال الحثية (مثل المحركات) لحماية الترانزستور من اندفاعات الجهد العكسي.
🛡️ أنظمة الحماية والتشخيص في 50N06
الترانزستور نفسه لا يحتوي على حماية داخلية متكاملة (مثل الحماية الحرارية أو التيار الزائد).
تعتمد الحماية على الدائرة الخارجية المصممة بشكل صحيح.
يتميز 50N06 بثنائي عكسي مدمج بين المصرف والمنبع (Body Diode) يحمي الترانزستور من الجهد العكسي الناتج عن الأحمال الحثية.
مواصفات الثنائي المدمج: تيار مستمر 50A، جهد أمامي (VSD) 1.5V نموذجي، زمن استرداد عكسي (trr) 55ns.
يحتوي الترانزستور أيضًا على منطقة أمان تشغيلية (Safe Operating Area – SOA) تحدد الحد الأقصى للتيار والجهد لتجنب التلف.
إذا تم تجاوز حدود SOA (مثل تشغيل الترانزستور في المنطقة الخطية لفترة طويلة)، فقد ترتفع درجة حرارته ويتلف.
مؤشرات العطل:
- قصر بين المصرف والمنبع (D-S) في كلا الاتجاهين – يعني أن الترانزستور تالف (انهيار حراري أو جهد زائد).
- قصر بين البوابة والمنبع (G-S) أو البوابة والمصرف (G-D) – يعني أن طبقة الأكسيد تالفة (عادة بسبب جهد زائد على البوابة).
- سخونة عالية جدًا تحت الحمل العادي – يعني أن RDS(on) مرتفع (قد يكون الترانزستور مزيفًا أو لا يعمل في التشبع الكامل).
لتشخيص عطل الترانزستور، قم بقياس المقاومة بين المصرف والمنبع باستخدام المولتيميتر (في وضع المقاومة العالية).
إذا كانت المقاومة صفر أو منخفضة جدًا (أقل من 10 أوم) في كلا الاتجاهين، فالترانزستور تالف (قصر).
إذا كانت المقاومة عالية جدًا (لا نهائية) في كلا الاتجاهين، فقد يكون الترانزستور مفتوحًا (نادر).
💻 الأجهزة التي يُركَّب فيها 50N06
هذا الترانزستور يدخل في العديد من الأجهزة الإلكترونية في مصر. إليك أبرزها:
مصادر الطاقة التبديلية (SMPS)
محركات المحركات الكهربائية (Motor Drivers)
أجهزة شحن البطاريات السريعة
أنظمة الطاقة الشمسية الصغيرة
مكبرات الصوت (Audio Amplifiers) عالية القدرة
أجهزة إنذار السيارات وأنظمة الإضاءة LED
⚠️ الأعطال الشائعة وحلولها – من واقع الورش المصرية
| العَطَل | السبب المحتمل | طريقة التشخيص | الحل |
|---|---|---|---|
| جهد البوابة منخفض جدًا (<4V)، مقاومة البوابة عالية جدًا، الترانزستور تالف (مفتوح) | قس جهد البوابة بالنسبة للمنبع (VGS)، يجب أن يكون > 5V-10V. افحص الترانزستور بمولتيميتر. | زد جهد البوابة (استخدم 10V)، قلل مقاومة البوابة (10Ω-100Ω)، استبدل الترانزستور. | |
| جهد البوابة عالٍ باستمرار (عالق عند 10V)، أو ترانزستور تالف (قصر داخلي) | افحص جهد البوابة، يجب أن يكون صفرًا عند الإطفاء. افحص الترانزستور بمولتيميتر. | أصلح دارة التحكم (قد تكون عالقة)، استبدل الترانزستور. | |
| RDS(on) مرتفع (VGS غير كافٍ)، تيار حمل زائد، مبدد حراري غير كافٍ، الترانزستور مزيف | قس VGS (يجب أن يكون ≥10V)، قس تيار الحمل، افحص درجة حرارة المبدد. | زد VGS إلى 10V-12V، خفف الحمل، أضف مبدد حراري أكبر، استخدم مروحة تبريد، استبدل الترانزستور بآخر أصلي. | |
| اندفاعات جهد عالية من الحمل الحثي (بدون ثنائي حماية)، جهد بوابة زائد (>20V)، تبديد حراري ضعيف | افحص الدائرة بحثًا عن ثنائي flyback، قس جهد البوابة (يجب ألا يتجاوز ±20V). | أضف ثنائي flyback (مثل 1N4007 أو FR307) بالتوازي مع الحمل، أضف زينر ديود 15V بين G و S لحماية البوابة، حسّن التبريد. | |
| سرعة تبديل عالية جدًا (تذبذبات على البوابة)، تخطيط PCB سيئ | افحص إشارة البوابة بأوسيلوسكوب، افحص مسارات التيار العالي. | زد مقاومة البوابة (100Ω-470Ω) لإبطاء التبديل، حسّن تخطيط PCB، أضف مرشحات EMI. |
🔄 البدائل والمقارنات – 50N06 مقابل ترانزستورات القدرة الأخرى
في الجوكر للالكترونيات، نوفر مجموعة من ترانزستورات القدرة. إليك مقارنة:
| المنتج | تيار المصرف (ID) | جهد الانهيار (VDS) | RDS(on) نموذجي | الاستخدام الموصى به | السعر النسبي |
|---|---|---|---|---|---|
| 50A | 60V | 22mΩ | تطبيقات 12V-48V عالية التيار (محركات، شواحن، SMPS) | متوسط (⭐⭐) | |
| غير محدد (قد يكون BJT) | غير محدد | غير محدد | أجهزة قديمة | اقتصادي (⭐) | |
| غير محدد | غير محدد | غير محدد | أجهزة قديمة | اقتصادي (⭐) | |
| 49A | 55V | 17.5mΩ | تطبيقات مشابهة (بديل مباشر) | مرتفع (⭐⭐⭐) |
خلاصة: اختر 50N06 إذا كنت بحاجة إلى ترانزستور MOSFET قدرة عالية التيار (50A) وجهد 60V مع مقاومة منخفضة. إنه بديل ممتاز لـ IRFZ44N وبتكلفة أقل. للتطبيقات التي تحتاج جهدًا أعلى (مثل 100V)، استخدم سلسلة IRF540 أو IRF640.
📖 قاموس المصطلحات التقنية (Glossary)
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor): ترانزستور حقلي يعتمد على جهد البوابة للتحكم في التيار بين المصرف والمنبع.
N-Channel: نوع من MOSFET حيث تكون قناة التوصيل من النوع N، وتكون البوابة موجبة بالنسبة للمنبع لتشغيله.
RDS(on): مقاومة التوصيل بين المصرف والمنبع عندما يكون الترانزستور في حالة التشبع (واصل). قيم منخفضة تعني خسائر أقل.
VGS(th) (عتبة البوابة): أقل جهد بين البوابة والمنبع يبدأ عنده الترانزستور في التوصيل.
Qg (شحنة البوابة الكلية): كمية الشحنة اللازمة لشحن سعة البوابة وتشغيل الترانزستور. قيمة منخفضة تعني تبديل أسرع.
Safe Operating Area (SOA): منطقة الأمان التشغيلية التي تحدد الحدود الآمنة للتيار والجهد لضمان عدم تلف الترانزستور.
Body Diode (ثنائي الجسم): ثنائي مدمج بين المصرف والمنبع في MOSFETات القدرة، يستخدم في تطبيقات التبديل لاستيعاب التيار العكسي.
Flyback Diode (ثنائي الحث الراجع): ثنائي خارجي يوضع بالتوازي مع حمل حثي لحماية الترانزستور من اندفاعات الجهد العكسي.
📄 الداتا شيت والمصادر التقنية الموثوقة
للاطلاع على التفاصيل الكاملة لترانزستور 50N06، نوصي بتحميل الداتا شيت الرسمي من Nell Semiconductor:
📥 تحميل PDF – داتا شيت 50N06 (Nell Semiconductor)
🌐 مصادر خارجية موثوقة (مراجع تقنية عالمية):
- Alldatasheet.com – أكبر قاعدة بيانات لأوراق البيانات.
- Datasheet4u.com – محرك بحث متخصص لأوراق البيانات.
- Alltransistors.com – مرجع للترانزستورات مع إمكانية البحث بالبدائل.
- Arduino Forum – مناقشات حول دوائر الترانزستورات.
🎓 نصائح الخبراء – من تجربتنا في ورش الجوكر
✔️ استخدم مبدد حراري مناسب: 50N06 يمكن أن يبدد حتى 120 واط (في علبة TO-220). استخدم مبدد حراري كبير (10×10 سم على الأقل) مع معجون حراري للتيارات التي تزيد عن 10A.
✔️ عزل المصرف عن المبدد الحراري: الغلاف المعدني هو المصرف. إذا كان المبدد متصلاً بالأرضي، استخدم ميكا عازلة وغسالة بلاستيكية.
✔️ لا تهمل مقاومة البوابة (Gate Resistor): مقاومة بقيمة 10Ω-100Ω بين خرج المتحكم وبوابة الترانزستور تمنع التذبذبات وتحد من تيار شحن البوابة.
✔️ أضف ثنائي حماية للحمل الحثي: أي محرك كهربائي أو ملف (relay, solenoid) يولد اندفاع جهد عكسي عند إيقاف التشغيل. ثنائي 1N4007 (لتيار منخفض) أو FR307 (لتيار عالٍ) بالتوازي مع الحمل يحمي الترانزستور.
✔️ تأكد من VGS الكافي: لتقليل RDS(on) إلى أدنى قيمة (22mΩ)، يجب أن يكون VGS = 10V. استخدام 5V فقط قد يضاعف المقاومة إلى 40mΩ أو أكثر، مما يزيد الحرارة.
✔️ لا تتجاوز ±20V على البوابة: أقصى جهد مسموح به بين البوابة والمنبع هو ±20V. تجاوز هذا الحد قد يثقب طبقة الأكسيد ويتلف الترانزستور نهائيًا.
✔️ احتفظ بترانزستور احتياطي: 50N06 من أكثر المكونات استخدامًا في دوائر القدرة، واحتفاظ بواحد أو اثنين في المخزون فكرة جيدة.
✔️ استخدم أوسيلوسكوب لفحص إشارة البوابة: إذا كانت الإشارة غير نظيفة (تذبذبات، ارتفاعات)، فقد يتلف الترانزستور ببطء. أضف مقاومة بوابة أكبر أو مكثف صغير (1nF) بين G و S لتنعيم الإشارة.
🏆 مميزات الطلب من الجوكر للالكترونيات في مصر
✅ منتج أصلي 100% – ترانزستورات أصلية من Nell Semiconductor مع ضمان استبدال لمدة 14 يوم.
✅ دعم فني متخصص عبر واتساب 01288929498 للإجابة على استفسارات الاستبدال والتطبيقات.
✅ شحن سريع – يتم تجهيز الطلب وشحنه بعد يوم عمل واحد، والاستلام خلال 24–48 ساعة لجميع محافظات مصر.
(القاهرة، الإسكندرية، الجيزة، الدقهلية، المنيا، أسوان، الأقصر، سوهاج، بورسعيد، الإسماعيلية، وغيرها).
✅ أسعار تنافسية مع خصومات خاصة للفنيين وورش الصيانة.
⭐ المراجعات والتقييمات – آراء العملاء الحقيقيين
أحمد عبدالرحمن – فني صيانة لوحات طاقة (القاهرة)
“50N06 ممتاز، استخدمته لاستبدال ترانزستور تالف في مصدر طاقة 12V/30A. يعمل بثبات والحرارة معقولة. أنصح به.”
مصطفى كامل – صاحب ورشة إلكترونيات (الإسكندرية)
“ترانزستور أصلية، وفرت علي وقت البحث. أستخدمها بكثرة في بناء محركات محركات DC. الكمية وجودة ممتازة.”
سارة خليل – مهندسة إلكترونيات (الجيزة)
“جيدة جداً، لكن أتمنى لو كان السعر أقل قليلاً. عموماً أنا راضية.”
إبراهيم سعيد – هاوي إلكترونيات (المنيا)
“استخدمتها في مشروع مكبر صوت Class D بقدرة 300 واط. تعمل بثبات. شكراً الجوكر.”
كريم الشافعي – فني صيانة سيارات (بورسعيد)
“ترانزستور ممتازة، وصلتني خلال 30 ساعة. أنصح بالتعامل مع الجوكر.”
🔗 منتجات ذات صلة – ترانزستورات ومنظمات قدرة
🔍 أسئلة يبحث عنها الناس (People Also Ask – Google)
- ما هو بديل ترانزستور 50N06؟ بدائل شائعة: IRFZ44N (49A، 55V)، IRFZ46N (53A، 55V)، STP55NF06 (55A، 60V)، و 50N06 نفسه من شركات أخرى.
- هل يمكن استخدام 50N06 بدلاً من IRFZ44N؟ نعم، في معظم التطبيقات، 50N06 هو بديل مباشر لـ IRFZ44N حيث أن مواصفاتها متقاربة جدًا (تيار أعلى قليلاً، جهد أعلى قليلاً).
- ما هو الفرق بين 50N06 و 50N06L؟ 50N06L عادةً ما يكون إصدارًا بجهد عتبة أقل (Logic Level)، مما يسمح بتشغيله مباشرة من 5V (مثل متحكمات 5V). لكن 50N06 القياسي يحتاج 10V للتشغيل الكامل.
- كيف أعرف أن الترانزستور تالف؟ قس المقاومة بين المصرف والمنبع (D-S) باستخدام المولتيميتر. إذا كانت صفر أوم أو منخفضة جدًا (<10Ω) في كلا الاتجاهين، فهو تالف (قصر).
- ما هو سبب تلف 50N06 المتكرر في دائرة محرك المحرك؟ غالبًا بسبب عدم وجود ثنائي flyback بالتوازي مع المحرك، أو استخدام ثنائي بطيء (مثل 1N4007 بدلاً من FR307)، أو تصميم ضعيف لدائرة القيادة.
❓ الأسئلة الشائعة الكاملة (20 سؤالاً) – 50N06
1. ما هو أقصى تيار مستمر لـ 50N06؟
أقصى تيار مستمر هو 50 أمبير عند درجة حرارة العلبة 25°C. عند 100°C، ينخفض إلى 35 أمبير.
2. هل 50N06 مناسب للتبديل بتردد عالٍ (مثل 100 كيلو هرتز)؟
نعم، بفضل شحنة البوابة المنخفضة (40nC) وسعاته الصغيرة، يمكن استخدامه حتى 200 كيلو هرتز مع دارة قيادة مناسبة.
3. ما هو جهد البوابة الموصى به لتشغيل 50N06 بكفاءة؟
يوصى باستخدام VGS = 10V للحصول على أقل RDS(on) (22mΩ). عند VGS = 5V، قد تكون المقاومة أعلى بكثير (حوالي 40-50mΩ).
4. هل يمكن تشغيل 50N06 مباشرة من Arduino (5V)؟
يمكن تشغيله لكن المقاومة ستكون أعلى (حوالي 40-50mΩ)، مما يسبب تسخينًا أكبر. يفضل استخدام ترانزستور منطقي (Logic Level) مثل IRLZ44N للتشغيل المباشر من 5V.
5. ما هو أقصى جهد يمكن تطبيقه على البوابة (Gate)؟
أقصى جهد مسموح به هو ±20V. تجاوز هذا الحد قد يتلف الترانزستور.
6. هل 50N06 يحتوي على ثنائي حماية مدمج؟
نعم، يحتوي على ثنائي جسم (body diode) بين المصرف والمنبع، لكنه ليس بديلاً عن ثنائي flyback الخارجي للحمل الحثي الكبير.
7. ما هي القدرة القصوى التي يمكن تبديدها؟
120 واط في علبة TO-220 مع مبدد حراري مناسب (قاعدة 25°C). بدون مبدد حراري، القدرة أقل بكثير (حوالي 2-3 واط فقط).
8. هل يمكن استخدام 50N06 كمرحل (مفتاح) تيار مستمر؟
نعم، يمكن استخدامه كمفتاح إلكتروني سريع بدلاً من المرحل الميكانيكي، مع ميزة عدم وجود تلامس كهربائي وضجيج.
9. ما الفرق بين 50N06 و 50N06F؟
50N06F عادةً ما يكون في علبة TO-220F (معزولة بالكامل)، بينما 50N06 القياسي في علبة TO-220 (غير معزولة، حيث يكون الغلاف المعدني هو المصرف).
10. هل يمكن استخدام 50N06 في دوائر 48V؟
نعم، أقصى جهد هو 60V، لذا 48V آمنة مع هامش أمان 12V.
11. كيف أحمي 50N06 من التفريغ الكهروستاتيكي (ESD)؟
تجنب لمس البوابة مباشرة. استخدم سوار تأريض. يمكن إضافة زينر ديود 15V بين G و S للحماية من الجهد الزائد.
12. ما هي مدة الضمان على الترانزستور؟
ضمان 14 يوم ضد عيوب التصنيع من الجوكر للالكترونيات.
13. كم تكلفة الشحن داخل مصر؟
تبدأ من 50 جنيهاً، وقد تكون مجانية للطلبات التي تزيد عن 500 جنيه (حسب العروض).
14. هل يمكن شراء الترانزستور بالجملة بأسعار مخفضة؟
نعم، اتصل بنا عبر الواتساب لمعرفة أسعار الجملة للورش.
15. هل الترانزستور أصلي أم تقليد؟
منتج أصلي 100% من Nell Semiconductor. لا نبيع منتجات مقلدة.
16. هل 50N06 مناسب لدوائر الإضاءة LED عالية الطاقة؟
نعم، يمكن استخدامه كمفتاح PWM لتحكم في شدة الإضاءة لمصابيح LED بقدرة عالية (حتى 50A).
17. ما هو تأثير درجة الحرارة على RDS(on)؟
تزداد مقاومة التوصيل مع ارتفاع درجة الحرارة (معامل موجب). عند 175°C، قد تكون RDS(on) ضعف قيمتها عند 25°C.
18. هل يمكن استخدام 50N06 في تطبيقات السيارات (12V)؟
نعم، جهد 12V أقل بكثير من الحد الأقصى 60V، وهو مناسب جدًا للسيارات (مثل أنظمة الإنارة، مضخات الوقود، مراوح التبريد).
19. كيف أحسن من كفاءة دائرة تستخدم 50N06؟
قلل تردد التبديل إن أمكن، استخدم VGS=10V، استخدم محثات ومكثفات منخفضة المقاومة، وحسّن التبريد.
20. أين أجد دائرة تطبيقية لـ 50N06 كمحول DC-DC؟
لدينا فيديوهات على قناة الجوكر للالكترونيات في يوتيوب، أو اطلب رابطاً عبر واتساب 01288929498.
🚚 سياسة الشحن والتوصيل لمصر
نحن في الجوكر للالكترونيات نحرص على وصول منتجك إليك بأسرع وقت.
يتم شحن الطلب بعد يوم عمل واحد من تأكيد الدفع.
مدة الاستلام تتراوح بين 24 إلى 48 ساعة من تاريخ الشحن لجميع محافظات مصر.
نستخدم شركات شحن موثوقة (أرامكس، بريد مصر، سمسا إكسبريس).
يتم التوصيل حتى باب المنزل أو أقرب نقطة استلام حسب منطقتك.

المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.