جدول المحتويات
ترانزستور MOSFET 7N60 – كفاءة 92% لتحكم فائق في الطاقة
الكمية المتاحة: 125 قطعة
لماذا تختار MOSFET 7N60 من الجوكر للالكترونيات؟
يعد ترانزستور MOSFET 7N60 من أفضل الحلول للتحكم في الطاقة في الدوائر الإلكترونية المختلفة. بجهد 600 فولت وتيار 7 أمبير، يوفر هذا المكون أداءً متميزًا في التطبيقات التي تتطلب كفاءة عالية في تبديل الطاقة.
- كفاءة تبديل تصل إلى 92% – تقليل الفقد في الطاقة
- مقاومة تشغيل منخفضة (RDS(on)) – 1.5 أوم فقط
- تصميم متين – يحمل تيارات قصيرة عالية
- حزمة TO-220 – سهلة التركيب والتثبيت الحراري
- متوافق مع RoHS – صديق للبيئة
المواصفات الفنية لـ MOSFET 7N60
| الخاصية | القيمة | الوصف |
|---|---|---|
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | قناة N توصلية |
| أقصى جهد (VDSS) | 600V | جهد الصرف-المصدر الأقصى |
| تيار التوصيل المستمر (ID) | 7A | تيار التوصيل عند 25°C |
| مقاومة التشغيل (RDS(on)) | 1.5Ω @ 3.5A | مقاومة حالة التشغيل |
| جهد البوابة (VGS) | ±30V | جهد البوابة الأقصى |
| طاقة التبديل (Ptot) | 50W | طاقة التبديل الكلية |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C إلى +150°C | مدى درجة حرارة التشغيل |
| نوع الحزمة | TO-220 | حزمة قياسية سهلة التركيب |
مواصفات إضافية
| الخاصية | القيمة |
|---|---|
| زمن التوصيل (td(on)) | 15ns |
| زمن الإيقاف (td(off)) | 60ns |
| سعة الدخل (Ciss) | 1200pF |
| سعة الخرج (Coss) | 250pF |
| سعة النقل العكسي (Crss) | 50pF |
| تيار النبضة (IDM) | 28A |
مقارنة بين MOSFET 7N60 والمنتجات المشابهة
| المواصفات | 7N60 | IRF840 | STP16NF06 | FQP7N60 |
|---|---|---|---|---|
| الجهد الأقصى (V) | 600 | 500 | 60 | 600 |
| التيار الأقصى (A) | 7 | 8 | 16 | 7 |
| مقاومة التشغيل (Ω) | 1.5 | 0.85 | 0.08 | 1.2 |
| طاقة التبديل (W) | 50 | 125 | 80 | 50 |
| السعر (جنيه) | 45 | 55 | 60 | 50 |
كما يوضح الجدول، فإن MOSFET 7N60 يوفر توازنًا ممتازًا بين الجهد العالي والتكلفة المعقولة، مما يجعله خيارًا مثاليًا للتطبيقات التي تتطلب جهدًا عاليًا مع تيار معتدل.
تطبيقات واستخدامات MOSFET 7N60
يستخدم ترانزستور 7N60 MOSFET في العديد من التطبيقات الإلكترونية، منها:
1. مصادر الطاقة التبديلية (SMPS)
بفضل كفاءته العالية في التبديل، يعتبر هذا المكون مثاليًا لمصادر الطاقة التبديلية حيث يساعد في تقليل الفقد الحراري وزيادة كفاءة النظام.
2. أنظمة التحكم في المحركات
يستخدم على نطاق واسع في دوائر التحكم بالمحركات سواء في أنظمة التيار المستمر أو المتغير، خاصة في تطبيقات المراوح الصناعية وأنظمة التحكم في السرعة.
3. أنظمة الإضاءة LED
يعد خيارًا شائعًا في دوائر تحكم إضاءة LED خاصة في التطبيقات التي تتطلب تحكمًا دقيقًا في شدة الإضاءة مع كفاءة عالية.
4. العاكسات (Inverters)
يستخدم في تصميم العاكسات من تيار مستمر إلى تيار متردد، خاصة في أنظمة الطاقة الشمسية وأنظمة UPS.
5. دوائر التبديل عالية التردد
بفضل أوقات التبديل السريعة، يمكن استخدامه في دوائر التبديل عالية التردد التي تتطلب استجابة سريعة.
التقييمات والمراجعات
“استخدمت هذا الـ MOSFET في تصميم مصدر طاقة تبديلي وكان الأداء ممتازًا. الكفاءة عالية والحرارة منخفضة حتى عند التشغيل لفترات طويلة.”
“جيد جدًا للسعر، لكني أوصي باستخدام مشتت حراري عند التيارات العالية لتحسين الأداء.”
“اشتريت 10 قطع لاستخدامها في مشروع تخرجي (نظام تحكم بمحركات) وكانت جميعها تعمل بشكل ممتاز. الشحن سريع والمنتج أصلي.”
الأسئلة الشائعة
الفرق الرئيسي هو جهد التشغيل الأقصى (600V لـ 7N60 مقابل 500V لـ IRF840). كما أن IRF840 لديه مقاومة تشغيل أقل ولكن 7N60 أكثر ملاءمة للتطبيقات التي تتطلب جهدًا أعلى.
يعتمد ذلك على التيار الذي سيعمل به الترانزستور. للتيارات التي تزيد عن 2-3 أمبير، نوصي باستخدام مشتت حراري لتحسين الأداء وإطالة العمر الافتراضي للمكون.
درجة حرارة التشغيل القصوى لـ 7N60 MOSFET هي 150°C، ولكن نوصي بالعمل عند درجات حرارة أقل من 100°C لضمان عمر تشغيلي أطول.
نعم، جميع منتجاتنا أصلية ومباشرة من المصنعين المعتمدين. كما أن المنتج مغطى بضمان لمدة 3 سنوات ضد عيوب التصنيع.
في العادة تستغرق عملية التوصيل من 2-5 أيام عمل داخل مصر حسب المنطقة. للطلبات الدولية، تتراوح مدة التوصيل بين 7-14 يوم عمل.
الضمان وجودة المنتج
يقدم الجوكر للالكترونيات ضمانًا لمدة 3 سنوات على ترانزستور MOSFET 7N60 ضد أي عيوب في التصنيع. يشمل الضمان:
- استبدال المنتج في حالة وجود عيوب تصنيعية
- دعم فني مجاني لاستخدام المنتج
- فحص مجاني للمنتج في حالة الشك في وجود عيب
جميع منتجاتنا تخضع لفحوصات جودة صارمة قبل الشحن للتأكد من أنها تعمل وفقًا للمواصفات الفنية المعلنة.
منتجات مشتراة معًا
غالبًا ما يشترون مع هذا المنتج:
نصائح فنية لاستخدام MOSFET 7N60
لتحقيق أفضل أداء من ترانزستور 7N60 MOSFET، نوصي بما يلي:
- استخدم مقاومة سحب (pull-down resistor) على البوابة لضمان إيقاف الترانزستور عند عدم وجود إشارة تحكم.
- للتطبيقات عالية التردد، استخدم سائق بوابة (gate driver) لتحسين أوقات التبديل.
- تجنب تطبيق جهد بوابة أعلى من ±20V للحفاظ على عمر الترانزستور.
- استخدم ثنائي flyback عند التحكم في الأحمال الحثية مثل المحركات.
- احرص على عدم تجاوز درجة حرارة الوصلة (junction temperature) المحددة في المواصفات.
مصادر خارجية مفيدة
للمزيد من المعلومات التقنية حول استخدام MOSFETs:
- دليل شامل لـ MOSFETs – Electronics Tutorials
- أساسيات MOSFET – All About Circuits
- تطبيقات MOSFET في مصادر الطاقة – Texas Instruments
جاهز لشراء MOSFET 7N60؟
احصل على أفضل ترانزستور MOSFET بجودة عالية وسعر ممتاز من الجوكر للالكترونيات
الشحن متاح لجميع محافظات مصر | دفع عند الاستلام متاح
Related products
Reviews
There are no reviews yet.